高機能金属材料

4N5精製インジウム

インジウム産業チェーンの基盤、純度99.995%

酸浸・除雑・置換反応・電解精製の4段階プロセスにより、純度99.995%の4N5精製インジウムを製造。Snは10ppm以下、Tl・Cdなどは5ppm以下に安定制

貴金属ターゲット

金ターゲットおよび金粒

金・銀・白金等の貴金属スパッタリングターゲット

銅および銅合金管材

銅および銅合金管材シリーズ

無酸素銅管・黄銅管・白銅管などの各種銅および銅合金管材

難融金属ターゲット

高純度モリブデンおよびモリブデン合金ターゲット

タングステン・モリブデン・タンタル・ニオブ等の難融金属および合金スパッタリングターゲット

ナノ酸化インジウム粉末

純度≥99.99%、BET≥6m²/g

先進プロセスで湿式凝集の課題を克服し、純度≥99.99%、BET比表面積≥6m²/gの高純度ナノ酸化インジウム粉末を安定量産。粒度分布が均一で分散性に優れ、IT

銀ターゲットおよび銀颗粒

高純度銀ターゲットおよび銀颗粒

Low-Eガラスコーティング、電極作製等用高純度銀ターゲットおよび銀颗粒。

高純度モリブデン棒／モリブデン電極

高純度モリブデン棒および電極

高温炉・光源・真空コーティング等の産業分野向け高純度モリブデン棒および電極製品。

高純度銅バスバー

高純度銅バスバーシリーズ

高純度無酸素銅バスバー、電気・電子業界に広く使用

高純度金属材料

高純度金属材料シリーズ

高純度金属材料の研究開発・生産・応用における全産業チェーンサービス

ナノ酸化スズ粉末（SnO₂）

純度≥99.99%、BET≥6m²/g

純度≥99.99%のナノ二酸化スズ（SnO₂）粉末。BET比表面積≥6m²/g、粒径制御可能、不純物はYS/T 1225-2018の4N参考値を大幅に下回る。I

高純度無酸素銅バスバー（カスタム）

高純度無酸素銅バスバー

断面積16000mm²以下、幅420mm以内の高純度無酸素銅バスバー。銅含有量が高く抵抗率が低く過負荷能力に優れ、結晶粒が緻密で均一。T1・T2・T3等級のバス

白金ターゲットおよび白金颗粒

高純度白金ターゲットおよび白金颗粒

触媒電極、センサ等のハイエンド応用向け高純度白金ターゲットおよび白金颗粒。

高純度タングステン-モリブデン颗粒

高純度タングステン-モリブデン颗粒材料

サーマルスプレー、粉末冶金等の用途向け高純度タングステンおよびモリブデン颗粒材料。

高純度無酸素銅インゴット

高純度無酸素銅インゴット

智能溶解システムで生産された高純度無酸素銅地金、製品の安定性と均一性を効果的に確保、酸素含有量を1ppm以下、ビスマス不純物を1ppm以下に制御可能。

ITO粉末

In₂O₃/SnO₂比率カスタム可

In₂O₃/SnO₂比率をカスタム可能なITO粉末。高機能ITOターゲット製造の核心成分であり、ターゲットの電気・光学特性を決定。透明導電インク・電子ペースト・

異形銅バスバー

カスタム異形銅バスバー

断面積16000mm²範囲の軟質・硬質銅バスバーおよび棒材を生産可能。断面形状は多様で寸法が精密、顧客図面による複雑断面型材のカスタマイズ可。

ルテニウムターゲットおよびルテニウム颗粒

高純度ルテニウムターゲットおよびルテニウム颗粒

半導体バリア層およびデータストレージ用高純度ルテニウムターゲットおよびルテニウム颗粒。

高温製品の種類

高融点金属高温製品

タングステン・モリブデン・タンタル・ニオブ等の難融金属で製造した高温製品、高温炉・真空炉等の設備に使用。

ITOスパッタリングターゲット

パネルディスプレイ核心素材、純度≥4N5

純度≥4N5、密度≥理論密度99.5%、回転ターゲット利用率70%超。純度・密度指標は国内トップクラス。BOE・CSOT・HKC等の主要パネルメーカー認証済み、

高純度無酸素銅ロッド

高純度無酸素銅ロッド

高純度無酸素銅棒、径8〜35mm、最大単重6t、銅純度≥99.99%、酸素≤0.001%。電力伝送・電子・超電導材料などの分野に使用。

ディスプレイ用高純度モリブデンおよび合金ターゲット

ディスプレイパネル用モリブデンターゲット

TFT-LCDディスプレイパネル用高純度モリブデンおよびモリブデン合金ターゲット、高世代ラインスパッタリングコーティングに適用。

IGZOスパッタリングターゲット

電子移動度15cm²/V·s、国際トップ級

電子移動度15cm²/V·sの高機能結晶IGZOターゲット。国際トップ水準に匹敵し、国内でも少数の高世代ライン安定供給可能メーカー。国産代替・新型ディスプレイ技

高純度無酸素銅および銅合金板

高純度無酸素銅および銅合金板

高純度無酸素銅および銅合金板、銅純度≥99.99%、酸素≤5ppm、優れた導電性・熱伝導性・耐食性を備える。合金製品はカスタマイズ可。

装飾・金型コーティング Cr-CrAl-TiSiターゲット

装飾および金型コーティング用クロム系ターゲット

装飾および金型コーティング用高純度Cr・CrAl・TiSi等のターゲット、組成が均一、結晶粒径50μm以下。

TCOMインジウムフリーターゲット

インジウムフリー透明導電酸化物ターゲット

TCOMインジウムフリーターゲットは非インジウム透明導電酸化物系で高機能導電膜を実現し、インジウム依存を低減。純度≥4N、密度≥7.1、主要指標は業界先進水準に

高純度無酸素銅および銅合金帯

高純度無酸素銅および銅合金帯

高純度無酸素銅および銅合金帯、銅純度≥99.99%、酸素≤5ppm；スイッチ・コンセント・変圧器・回路基板・コネクタ・ヒートシンク等に使用。

OMHT高効率ターゲット

高効率透明導電酸化物ターゲット

OMHT高効率ターゲットは高効率透明導電用途に最適化。純度≥4N、密度≥6.9、抵抗率≤200×10⁻³Ω・cm、結晶粒径≤5μm、表面粗さ≤0.8μm。高緻密

銅の棒

銅棒シリーズ

銅棒は優れた加工性と高い導電性を持つ非鉄金属加工棒材の一種。黄銅棒と銅棒に大別され、工業・建築・電子・自動車等の分野に広く使用。

RPD/IZOターゲット

RPD成膜・IZOジルコニウムドープ酸化物ターゲット

RPDターゲットとIZO（ジルコニウムドープ酸化インジウム）ターゲットは多様な透明導電用途をカバー。RPDは純度≥4N、密度≥6.8でペロブスカイト・高級タンデ

GZO/AGZOターゲット

ガリウム/アルミドープ酸化亜鉛ターゲット

GZO（ガリウムドープ酸化亜鉛）とAGZO（アルミドープ酸化亜鉛）ターゲット。純度≥4N、密度≥7.1、抵抗率≤0.3×10⁻³Ω・cm、結晶粒径≤5μm。低コ

無酸素銅管

無酸素銅管

無酸素銅管、銅純度≥99.99%、酸素≤5ppm；電子・冷凍・海洋工学的に適用。

精密セラミック構造部品

半導体装置用耐食・耐熱構造部品

高純度アルミナ・ジルコニア等の先進セラミックを精密成形・焼結し、優れた耐食性・耐熱性を実現。エッチャー・PVD/CVD装置のチャンバーライナー、静電チャック（E

銅管は

銅管シリーズ

銅管（T1、T2、TP2）、銅含有量≥99.90%；冷凍・空調・熱交換器等に適用。

7N超高純度インジウム

純度99.99999%、極限精製

「真空蒸留-方向性結晶化-ゾーン精製」の組合せプロセスと独自除雑技術で、純度を7N（99.99999%）級に安定達成、品質指標は国際トップ級。InP単結晶・高級

耐食性白い銅管

白銅管シリーズ

銅ニッケル合金を基調とする白銅管、BFe10-1-1・BZn15-20等の等級を網羅、優れた海水耐食性、海洋工學・化学業界等に使用。

インジウム線

低温ハンダ关键消耗材、φ0.5mm以上

インジウム線は融点が低く（156.6°C）、延性に優れ低温でも良好なハンダ性を発揮。半導体素子の低温ハンダ・真空封止プロセスの核心消耗材として電子パッケージング

インジウム箔

精密シール優秀素材、厚さ0.1mm以上

インジウム箔は延性・シール性に優れ極薄板材に加工可能。電子パッケージングシム・コーティング・半導体素子の優秀素材であり、熱界面材料（TIM）としても使用。純度4

インジウム球

先進パッケージング前衛原料、φ1-3mm

インジウム球/ビーズは精密「マイクロソルダーボール」でチップと基板の信頼的接続を実現。先進チップパッケージングのマイクロバンプ・高機能金属3Dプリントの前衛原料

液体金属

InGaAg/InGaSn合金、低融点高熱伝導

液体金属合金（InGaAg、InGaSn）は低融点・高流動性・高熱伝導で、不規則表面を埋めて接触熱抵抗を低減。CPU/GPU冷却（シリコングリス代替）・フレキシ