オーライインジウム
広東欧莱インジウム科学技術有限公司(略称:欧莱インジウム)は2021年3月に設立され、科創板(STAR Market)上場企業である欧莱先進材料(広東)株式会社(688530.SH)の完全子会社です。韶関市武江区創業路5号に位置し、中国希散金属業界におけるインジウム全産業チェーンをカバーする優れた製造企業です。
高純度インジウム材料、スパッタリングターゲット、インジウム合金の研究開発・生産・販売を主力とし、薄膜新素材分野に深く取り組んでいます。韶関インジウム産業クラスターと親会社の技術的優位性に基づき、「インジウム含有廃棄物回収 — 高純度インジウム精製 — インジウムベース粉末 — ハイエンドITOターゲット」のクローズドループ生産ラインを構築し、資源循環利用と重要材料の自主供給を実現しました。
同社は一連の研究開発・生産設備、専門的な研究開発チーム、および完全な品質管理システムを備え、高純度インジウム、インジウム合金、ITOターゲットの国産化に注力しています。主な製品には高性能ITOターゲット、4N5~7N高純度インジウムインゴット、ITO粉末、多結晶インジウムリン、インジウム線/ボール/箔などがあり、半導体ディスプレイ、太陽光発電、チップ、LOW-Eガラス、ハイエンド電子機器、光通信、先進パッケージング、新エネルギーなどの新興産業をカバーしており、高純度・高安定性インジウムベース材料のカスタマイズソリューションおよび付帯技術サービスを提供し、中国ハイエンド新素材産業の発展に貢献しています。
製品リスト
全 16 製品
4N5精製インジウム
インジウム産業チェーンの基盤、純度99.995%
酸浸・除雑・置換反応・電解精製の4段階プロセスにより、純度99.995%の4N5精製インジウムを製造。Sn・Tl・Cdなどの不純物を10ppm以下に安定制御。既
ナノ酸化インジウム粉末
純度≥99.99%、BET≥13.5m²/g
先進プロセスで湿式凝集の課題を克服し、純度≥99.99%、BET比表面積≥13.5m²/gの高純度ナノ酸化インジウム粉末を安定量産。粒度分布が均一で分散性に優れ
ナノ酸化スズ粉末(SnO₂)
純度≥99.99%、BET≥6m²/g
純度≥99.99%のナノ二酸化スズ(SnO₂)粉末。BET比表面積≥6m²/g、粒径制御可能、不純物はYS/T 1225-2018の4N参考値を大幅に下回る。I
ITO粉末
In₂O₃/SnO₂比率カスタム可
In₂O₃/SnO₂比率をカスタム可能なITO粉末。高機能ITOターゲット製造の核心成分であり、ターゲットの電気・光学特性を決定。透明導電インク・電子ペースト・
ITOスパッタリングターゲット
パネルディスプレイ核心素材、純度≥4N5
純度≥4N5、密度≥理論密度99.5%、回転ターゲット利用率70%超。純度・密度指標は国内トップクラス。BOE・CSOT・HKC等の主要パネルメーカー認証済み、
IGZOスパッタリングターゲット
電子移動度15cm²/V·s、国際トップ級
電子移動度15cm²/V·sの高機能結晶IGZOターゲット。国際トップ水準に匹敵し、国内でも少数の高世代ライン安定供給可能メーカー。国産代替・新型ディスプレイ技
TCOMインジウムフリーターゲット
インジウムフリー透明導電酸化物ターゲット
TCOMインジウムフリーターゲットは非インジウム透明導電酸化物系で高機能導電膜を実現し、インジウム依存を低減。純度≥4N、密度≥7.1、主要指標は業界先進水準に
OMHT高効率ターゲット
高効率透明導電酸化物ターゲット
OMHT高効率ターゲットは高効率透明導電用途に最適化。純度≥4N、密度≥6.9、抵抗率≤200×10⁻³Ω・cm、結晶粒径≤5μm、表面粗さ≤0.8μm。高緻密
RPD/IZOターゲット
RPD成膜・IZOジルコニウムドープ酸化物ターゲット
RPDターゲットとIZO(ジルコニウムドープ酸化インジウム)ターゲットは多様な透明導電用途をカバー。RPDは純度≥4N、密度≥6.8でペロブスカイト・高級タンデ
GZO/AGZOターゲット
ガリウム/アルミドープ酸化亜鉛ターゲット
GZO(ガリウムドープ酸化亜鉛)とAGZO(アルミドープ酸化亜鉛)ターゲット。純度≥4N、密度≥7.1、抵抗率≤0.3×10⁻³Ω・cm、結晶粒径≤5μm。低コ
精密セラミック構造部品
半導体装置用耐食・耐熱構造部品
高純度アルミナ・ジルコニア等の先進セラミックを精密成形・焼結し、優れた耐食性・耐熱性を実現。エッチャー・PVD/CVD装置のチャンバーライナー、静電チャック(E
7N超高純度インジウム
純度99.99999%、極限精製
「真空蒸留-方向性結晶化-ゾーン精製」の組合せプロセスと独自除雑技術で、純度を7N(99.99999%)級に安定達成、品質指標は国際トップ級。InP単結晶・高級
インジウム線
低温ハンダ关键消耗材、φ0.5mm以上
インジウム線は融点が低く(156.6°C)、延性に優れ低温でも良好なハンダ性を発揮。半導体素子の低温ハンダ・真空封止プロセスの核心消耗材として電子パッケージング
インジウム箔
精密シール優秀素材、厚さ0.1mm以上
インジウム箔は延性・シール性に優れ極薄板材に加工可能。電子パッケージングシム・コーティング・半導体素子の優秀素材であり、熱界面材料(TIM)としても使用。純度4
インジウム球
先進パッケージング前衛原料、φ1-3mm
インジウム球/ビーズは精密「マイクロソルダーボール」でチップと基板の信頼的接続を実現。先進チップパッケージングのマイクロバンプ・高機能金属3Dプリントの前衛原料
液体金属
InGaAg/InGaSn合金、低融点高熱伝導
液体金属合金(InGaAg、InGaSn)は低融点・高流動性・高熱伝導で、不規則表面を埋めて接触熱抵抗を低減。CPU/GPU冷却(シリコングリス代替)・フレキシ