職務内容

1. 学歴・専攻:博士;2026年卒業博士は事前入社可能;材料科学・工学、材料物理、凝縮系物理、半導体材料等;研究テーマはIII-V族化合物半導体、結晶材料合成、欠陥制御とし、リン化インジウムの研究経験優遇。 2. 専門能力:III-V族化合物半導体の研究開発経験2年以上;InPの物理化学特性および真空高温合成メカニズムを習得;InP多結晶合成・精製の実務経験;材料特性評価のワークフローに精通;自立したプロセス問題解決能力;特許・論文・産業化経験優遇。 3. その他:42歳以下(産業化経験が豊富な場合は42歳まで緩和)、人格が正しく学術不正なし、健康良好、チームワーク能力が強い。

応募要件

博士課程、INP方向